Estructura electrónica de materiales artificiales e interfases

  1. Segovia Cabrero, Pilar
Dirigée par:
  1. Enrique García Michel Directeur/trice

Université de défendre: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 05 mars 1998

Jury:
  1. Fernando Flores Sintas President
  2. Marco Antonio Lopez de la Torre Hidalgo Secrétaire
  3. José Luis Vicent López Rapporteur
  4. María Carmen Asensio Ariño Rapporteur
  5. Antonio Hernando Grande Rapporteur

Type: Thèses

Teseo: 67792 DIALNET

Résumé

El estudio de la estructura electrónica de los materiales es crucial para comprender la mayoría de sus propiedades. La técnica que, por excelencia, sirve para este estudio es la Fotoemisión resuelta en ángulo (ARUPS). La combinación de esta técnica con el empleo de la radiación sincrotrón la hace especialmente potente ya que permite la obtención de los diferentes números cuánticos. Las técnicas de Fotoemisión de alta resolución nos han permitido abordar el estudio de tres sistemas diferentes en los que se manifiestan fenómenos de confinamiento cuántico (Cu/Co/Cu(100)), sistemas cuasiunidimensionales (K/Si(100)2x1), sistemas con alta correlación electrónica (CeRh3/W(110) y U/W(110)).