Estructura electrónica de materiales artificiales e interfases

  1. Segovia Cabrero, Pilar
Supervised by:
  1. Enrique García Michel Director

Defence university: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 05 March 1998

Committee:
  1. Fernando Flores Sintas Chair
  2. Marco Antonio Lopez de la Torre Hidalgo Secretary
  3. José Luis Vicent López Committee member
  4. María Carmen Asensio Ariño Committee member
  5. Antonio Hernando Grande Committee member

Type: Thesis

Teseo: 67792 DIALNET

Abstract

El estudio de la estructura electrónica de los materiales es crucial para comprender la mayoría de sus propiedades. La técnica que, por excelencia, sirve para este estudio es la Fotoemisión resuelta en ángulo (ARUPS). La combinación de esta técnica con el empleo de la radiación sincrotrón la hace especialmente potente ya que permite la obtención de los diferentes números cuánticos. Las técnicas de Fotoemisión de alta resolución nos han permitido abordar el estudio de tres sistemas diferentes en los que se manifiestan fenómenos de confinamiento cuántico (Cu/Co/Cu(100)), sistemas cuasiunidimensionales (K/Si(100)2x1), sistemas con alta correlación electrónica (CeRh3/W(110) y U/W(110)).