Estructura electrónica de materiales artificiales e interfases
- Segovia Cabrero, Pilar
- Enrique García Michel Zuzendaria
Defentsa unibertsitatea: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 1998(e)ko martxoa-(a)k 05
- Fernando Flores Sintas Presidentea
- Marco Antonio Lopez de la Torre Hidalgo Idazkaria
- José Luis Vicent López Kidea
- María Carmen Asensio Ariño Kidea
- Antonio Hernando Grande Kidea
Mota: Tesia
Laburpena
El estudio de la estructura electrónica de los materiales es crucial para comprender la mayoría de sus propiedades. La técnica que, por excelencia, sirve para este estudio es la Fotoemisión resuelta en ángulo (ARUPS). La combinación de esta técnica con el empleo de la radiación sincrotrón la hace especialmente potente ya que permite la obtención de los diferentes números cuánticos. Las técnicas de Fotoemisión de alta resolución nos han permitido abordar el estudio de tres sistemas diferentes en los que se manifiestan fenómenos de confinamiento cuántico (Cu/Co/Cu(100)), sistemas cuasiunidimensionales (K/Si(100)2x1), sistemas con alta correlación electrónica (CeRh3/W(110) y U/W(110)).