Crecimiento por MBE de GaAs, AlGaAs y pozos cuánticos múltiples de AlAs/GaAs y su caracterización morfológica, eléctrica y óptica

  1. MIGUEL ANTON JOSE LUIS DE
Zuzendaria:
  1. Fernando Briones Fernández-Pola Zuzendaria

Defentsa unibertsitatea: Universidad Complutense de Madrid

Defentsa urtea: 1986

Epaimahaia:
  1. Antonio Hernando Grande Presidentea
  2. Francisco Batallan Casas Idazkaria
  3. Juan Piqueras Kidea
  4. José Manuel Guerra Pérez Kidea
  5. Elías Muñoz Merino Kidea

Mota: Tesia

Teseo: 12576 DIALNET

Laburpena

El trabajo supone una aportación al campo de los semiconductores epitaxiados por haces moleculares, en los siguientes puntos: 1.- Ensayo de dopantes alternativos. 2.- Estudio de la estequiometría y morfología de la superficie que crece mediante difracción de electrones rasantes de alta energía (RHEED). 3.- Crecimiento de superredes semiconductoras del sistema Al-Ga-As incidiendo sobre sus características de emisión mediante la optimización de su diseño.