Crecimiento por MBE de GaAs, AlGaAs y pozos cuánticos múltiples de AlAs/GaAs y su caracterización morfológica, eléctrica y óptica

  1. MIGUEL ANTON JOSE LUIS DE
Dirigida por:
  1. Fernando Briones Fernández-Pola Director/a

Universidad de defensa: Universidad Complutense de Madrid

Año de defensa: 1986

Tribunal:
  1. Antonio Hernando Grande Presidente
  2. Francisco Batallan Casas Secretario/a
  3. Juan Piqueras Vocal
  4. José Manuel Guerra Pérez Vocal
  5. Elías Muñoz Merino Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 12576 DIALNET

Resumen

El trabajo supone una aportación al campo de los semiconductores epitaxiados por haces moleculares, en los siguientes puntos: 1.- Ensayo de dopantes alternativos. 2.- Estudio de la estequiometría y morfología de la superficie que crece mediante difracción de electrones rasantes de alta energía (RHEED). 3.- Crecimiento de superredes semiconductoras del sistema Al-Ga-As incidiendo sobre sus características de emisión mediante la optimización de su diseño.