Crecimiento por MBE de GaAs, AlGaAs y pozos cuánticos múltiples de AlAs/GaAs y su caracterización morfológica, eléctrica y óptica

  1. MIGUEL ANTON JOSE LUIS DE
Supervised by:
  1. Fernando Briones Fernández-Pola Director

Defence university: Universidad Complutense de Madrid

Year of defence: 1986

Committee:
  1. Antonio Hernando Grande Chair
  2. Francisco Batallan Casas Secretary
  3. Juan Piqueras Committee member
  4. José Manuel Guerra Pérez Committee member
  5. Elías Muñoz Merino Committee member

Type: Thesis

Teseo: 12576 DIALNET

Abstract

El trabajo supone una aportación al campo de los semiconductores epitaxiados por haces moleculares, en los siguientes puntos: 1.- Ensayo de dopantes alternativos. 2.- Estudio de la estequiometría y morfología de la superficie que crece mediante difracción de electrones rasantes de alta energía (RHEED). 3.- Crecimiento de superredes semiconductoras del sistema Al-Ga-As incidiendo sobre sus características de emisión mediante la optimización de su diseño.