Reconstrucción electrónica y de espín en interfases de óxidos complejos

Abstract

Reconstrucción electrónica y de espín en interfases de óxidos complejos El estudio de las propiedades de las interfases de óxidos complejos es objeto de interés creciente en los últimos años y, de hecho, se puede afirmar que ha dado lugar a una nue va dirección de investigación en Física de Materiales. Estas interfases, debido a su gran complejidad, ofrecen una variedad de ingredientes adicionales (efectos de proximidad, transferencia de carga, desacoplo de valencia, etc.) que se constituyen en un mayor número de grados de libertad a la hora de producir efectos físicos nuevos. Las superredes epitaxiales crecidas alternando dos materiales diferentes con la misma o diferente estructura cristalina son un banco de pruebas para el diseño de mat eriales artificiales con nuevas funcionalidades. Los avances producidos en las técnicas de fabricación de estas superredes nos permiten el crecimiento de heteroestructuras epitaxiales de óxidos de metales de transición, donde las interfases entre los dos materiales muestran una gran coherencia y una elevada calidad cristalina. Todas las muestras de esta tesis han sido crecidas mediante pulverización catódica (sputtering). En todos los casos las muestras crecidas fueron caracterizadas por técnic